Моделювання підсилювача на біполярному транзисторі

Інформація про навчальний заклад

ВУЗ:
Національний університет Львівська політехніка
Інститут:
Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки
Факультет:
Не вказано
Кафедра:
Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань

Інформація про роботу

Рік:
2008
Тип роботи:
Курсова робота
Предмет:
Основи автоматизації проектування РЕА
Група:
РТ-32

Частина тексту файла

Міністерство освіти і науки України Національний університет „Львівська Політехніка” Інститут телекомунікацій, радіоелектроніки та електронної техніки Кафедра теоретичної радіотехніки та радіовимірювань   КУРСОВА РОБОТА з курсу: ( Основи автоматизації проектування РЕА( на тему: (Моделювання підсилювача на біполярному транзисторі( Варіант№30 Львів–2008 ЗМІСТ Вступ………………………………………………………………………………3 Початкові дані…………………………………………………………………….4 Аналіз в режимі постійного струму……………………………………………..5 Заступна схема підсилювача в режимі постійного струму………………..6 Визначення напруг, струмів та диференціальних провідностей компонентів……………………………………………………………………6 Складання вектора вузлових струмів……………………………………….7 Складання матриці вузлових диференціальних провідностей ……………7 Розроблення та описання програми статичного аналізу…………………..9 Результати статичного аналізу ……………………………………………..10 Аналіз частотних характеристик в режимі малого сигналу…………………..11 Лінеаризація нелінійної універсальної моделі біполярного транзистора……...11 Заступна малосигнальна схема підсилювача……………………………..11 Складання вектора еквівалентних вузлових незалежних джерел струму.12 Складання матриці вузлових комплексних провідностей ……………….12 Розроблення та описання програми частотного аналізу …………………14 Результати частотного аналізу…………………………………………….15 Моделювання підсилювача за допомогою ПМК Micro-CAP 8………………16 Висновки………………………………………………………………………17 Додатки………………………………………………………………………..18 Література……………………………………………………………………..22 ВСТУП В даній роботі виконується аналіз підсилювача в режимі постійного струму, аналіз підсилювача в режимі малого сигналу та моделювання підсилювача за допомогою ПКМ Micro-CAP VIII. При аналізі підсилювача в режимі постійного струму транзистор заміняємо статичною моделлю Еберса-Молла, вилучаємо зі схеми ємності і незалежні змінні в часі джерела напруги і струму, закорочуємо індуктивності, перетвотворюємо незалежне джерело постійної напруги у незалежне джерело постійного струму та знаходимо струм, напругу і розсіювану потужність кожного компонента. При аналізі підсилювача в режимі малого сигналу транзистор заміняємо малосигнальною моделлю і розраховуємо її параметри, використавши результати статичного аналізу. 1.ПОЧАТКОВІ ДАНІ. Завдання до курсової роботи підготовлене із застосуванням ПМК PSpice і складається з операторів опису схеми, директив керування завданням та результатів аналізу. Початковими даними до курсової роботи є електрична схема транзисторного підсилювача(Рис.1), який складається з біполярного транзистора, джерела живлення, режимозадавальних резисторів, джерела гармонічного сигналу, розділювальних конденсаторів та навантаження. Задається також універсальна модель Еберса-Молла (нелінійна гібридна π-модель)біполярного транзистора та її параметри.  Рис.1. Електрична схема транзисторного підсилювача. 2. АНАЛІЗ ПІДСИЛЮВАЧА В РЕЖИМІ ПОСТІЙНОГО СТРУМУ. 2.1. Побудова заступної схеми кола в режимі постійного струму. Для складання заступної схеми кола в режимі постійному струму необхідно: - замінити транзистор статичною моделлю Еберса-Молла; - вилучити зі схеми ємності і незалежні змінні в часі джерела напруги і струму, закоротити індуктивності; - перетворити незалежне джерело постійної напруги VS, прийнявши його внутрішній опір RS=0.001 Ом, у незалежне джерело постійного струму JS з внутрішньою провідністю YS (рис. 2). Перетворення незалежного джерела напруги в незалежне джерело струму або навпаки для вказаної полярності джерел (рис. 2) здійснюється за формулами: Ijs=Uvs/RS YS=1/RS і є еквівалентним відносно зовнішніх полюсів m і l, тобто напруга U i струм І в обох випадках є однаковими. Однак потужність, що розсіюється на внутрішній провідності YS джерела струму JS, на відміну від джерела напруги VS, є дуже великою i не має фізичного змісту. Робити топологічні перетворення в заступній схемі, тобто об'єднувати по...
Антиботан аватар за замовчуванням

01.01.1970 03:01

Коментарі

Ви не можете залишити коментар. Для цього, будь ласка, увійдіть або зареєструйтесь.

Завантаження файлу

Якщо Ви маєте на своєму комп'ютері файли, пов'язані з навчанням( розрахункові, лабораторні, практичні, контрольні роботи та інше...), і Вам не шкода ними поділитись - то скористайтесь формою для завантаження файлу, попередньо заархівувавши все в архів .rar або .zip розміром до 100мб, і до нього невдовзі отримають доступ студенти всієї України! Ви отримаєте грошову винагороду в кінці місяця, якщо станете одним з трьох переможців!
Стань активним учасником руху antibotan!
Поділись актуальною інформацією,
і отримай привілеї у користуванні архівом! Детальніше

Оголошення від адміністратора

Антиботан аватар за замовчуванням

пропонує роботу

Admin

26.02.2019 12:38

Привіт усім учасникам нашого порталу! Хороші новини - з‘явилась можливість кожному заробити на своїх знаннях та вміннях. Тепер Ви можете продавати свої роботи на сайті заробляючи кошти, рейтинг і довіру користувачів. Потрібно завантажити роботу, вказати ціну і додати один інформативний скріншот з деякими частинами виконаних завдань. Навіть одна якісна і всім необхідна робота може продатися сотні разів. «Головою заробляти» продуктивніше ніж руками! :-)

Новини